Справочник MOSFET. SSF6670

 

SSF6670 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF6670
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для SSF6670

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF6670 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:453K  silikron
 ssf6670.pdf pdf_icon

SSF6670

SSF6670 DESCRIPTION The SSF6670 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 60V,ID =3.5A R

 9.1. Size:331K  silikron
 ssf6646.pdf pdf_icon

SSF6670

SSF6646 DESCRIPTION The SSF6646 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 60V,ID =4.5A R

Другие MOSFET... SSF6014J7 , SSF6014J8 , SSF6025 , SSF6072G5 , SSF6092G1 , SSF6114 , SSF6401 , SSF6646 , CS150N03A8 , SSF6808 , SSF6808A , SSF6808D , SSF6814 , SSF6816 , SSF6908 , SSF6N40D , SSF6N60G .

 

 
Back to Top

 


 
.