Справочник MOSFET. SSF6670

 

SSF6670 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSF6670
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для SSF6670

 

 

SSF6670 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:453K  silikron
 ssf6670.pdf

SSF6670 SSF6670

SSF6670 DESCRIPTION The SSF6670 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 60V,ID =3.5A R

 9.1. Size:331K  silikron
 ssf6646.pdf

SSF6670 SSF6670

SSF6646 DESCRIPTION The SSF6646 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 60V,ID =4.5A R

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top