SSF6670. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF6670

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для SSF6670

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF6670 даташит

 ..1. Size:453K  silikron
 ssf6670.pdf pdf_icon

SSF6670

SSF6670 DESCRIPTION The SSF6670 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 60V,ID =3.5A R

 9.1. Size:331K  silikron
 ssf6646.pdf pdf_icon

SSF6670

SSF6646 DESCRIPTION The SSF6646 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 60V,ID =4.5A R

Другие IGBT... SSF6014J7, SSF6014J8, SSF6025, SSF6072G5, SSF6092G1, SSF6114, SSF6401, SSF6646, IRF520, SSF6808, SSF6808A, SSF6808D, SSF6814, SSF6816, SSF6908, SSF6N40D, SSF6N60G