SSF8509 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSF8509
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 15.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 352 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSF8509

SSF8509 Datasheet (PDF)

..1. Size:350K silikron
ssf8509.pdf

SSF8509Main Product Characteristics: VDSS 85V RDS(on) 7mohm(typ.)ID 80AMarking and pin TO220Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175

9.1. Size:287K silikron
ssf8521.pdf

SSF8521 DESCRIPTION The SSF8521 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. Schematic diagram GENERAL FEATURES MOSFET VDS = -20V,ID = -4.4A RDS(ON)

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: