SSF8509 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSF8509
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 352 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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SSF8509 Datasheet (PDF)
ssf8509.pdf

SSF8509Main Product Characteristics: VDSS 85V RDS(on) 7mohm(typ.)ID 80AMarking and pin TO220Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175
ssf8521.pdf

SSF8521 DESCRIPTION The SSF8521 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. Schematic diagram GENERAL FEATURES MOSFET VDS = -20V,ID = -4.4A RDS(ON)
Otros transistores... SSPL6040 , SSPL6040D , SSF80100 , SSF8205 , SSF8205A , SSF8205U , SSF8205UH2 , SSF8421 , K4145 , SSF8521 , SSF8810 , SSF8822 , SSF8N60 , SSF8N65 , SSF8N80 , SSF8N80F , SSF8N80ZH .
History: SVT068R5NT | QS8M13 | IRLU3410P | ELM34604AA | HMS7N65K | SSF8205UH2 | KMA2D0DP20X
History: SVT068R5NT | QS8M13 | IRLU3410P | ELM34604AA | HMS7N65K | SSF8205UH2 | KMA2D0DP20X



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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