SSF8509 Todos los transistores

 

SSF8509 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSF8509
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 352 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSF8509

 

Principales características: SSF8509

 ..1. Size:350K  silikron
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SSF8509

SSF8509 Main Product Characteristics VDSS 85V RDS(on) 7mohm(typ.) ID 80A Marking and pin TO220 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175

 9.1. Size:287K  silikron
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SSF8509

SSF8521 DESCRIPTION The SSF8521 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. Schematic diagram GENERAL FEATURES MOSFET VDS = -20V,ID = -4.4A RDS(ON)

Otros transistores... SSPL6040 , SSPL6040D , SSF80100 , SSF8205 , SSF8205A , SSF8205U , SSF8205UH2 , SSF8421 , 2N7002 , SSF8521 , SSF8810 , SSF8822 , SSF8N60 , SSF8N65 , SSF8N80 , SSF8N80F , SSF8N80ZH .

History: TPR65R120M | TK8Q60W | DJC070N65M2 | SL65N10Q | ED120N10ZR

 

 
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