SSF8509 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSF8509

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 200 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 85 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 80 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 93.6 nC

Tiempo de elevación (tr): 15.2 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 352 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.009 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSF8509

SSF8509 Datasheet (PDF)

1.1. ssf8509.pdf Size:350K _silikron

SSF8509 Main Product Characteristics: VDSS 85V RDS(on) 7mohm(typ.) ID 80A Marking and pin TO220 Schematic diagram Assignment Features and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175℃

5.1. ssf8521.pdf Size:287K _silikron

SSF8521 DESCRIPTION The SSF8521 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. Schematic diagram GENERAL FEATURES ● MOSFET VDS = -20V,ID = -4.4A RDS(ON) < 170mΩ @ VGS=-1.8V RDS(ON) < 110mΩ @ VGS

Otros transistores... PT8205 , PT8205A , PT8822 , PT4410 , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , IRFBC40 , AO3407 , PT4435 , SM103 , SM104 , SMY50 , SMY51 , SMY52 , SMY60 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: