SSF8509 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSF8509  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 352 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO220

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SSF8509 datasheet

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SSF8509

SSF8509 Main Product Characteristics VDSS 85V RDS(on) 7mohm(typ.) ID 80A Marking and pin TO220 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175

 9.1. Size:287K  silikron
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SSF8509

SSF8521 DESCRIPTION The SSF8521 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. Schematic diagram GENERAL FEATURES MOSFET VDS = -20V,ID = -4.4A RDS(ON)

Otros transistores... SSPL6040, SSPL6040D, SSF80100, SSF8205, SSF8205A, SSF8205U, SSF8205UH2, SSF8421, IRF9540N, SSF8521, SSF8810, SSF8822, SSF8N60, SSF8N65, SSF8N80, SSF8N80F, SSF8N80ZH