Справочник MOSFET. SSF8509

 

SSF8509 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF8509
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 352 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF8509 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  silikron
 ssf8509.pdf pdf_icon

SSF8509

SSF8509Main Product Characteristics: VDSS 85V RDS(on) 7mohm(typ.)ID 80AMarking and pin TO220Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175

 9.1. Size:287K  silikron
 ssf8521.pdf pdf_icon

SSF8509

SSF8521 DESCRIPTION The SSF8521 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. Schematic diagram GENERAL FEATURES MOSFET VDS = -20V,ID = -4.4A RDS(ON)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: P1825AD | 2N6760JANTXV | RU7550S | STP20NM60FP | APT7F80K | AUIRFZ34N | IRLML9301TRPBF

 

 
Back to Top

 


 
.