SSF8822 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSF8822
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
Encapsulados: TSSOP8
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SSF8822 datasheet
ssf8822.pdf
SSF8822 D1 D2 DESCRIPTION The SSF8822 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation G1 G2 with gate voltages as low as 0.8V. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, S1 S2 facilitated by its common-drain configuration. Marking and pin Assignment GENERAL FEATURES V = 20V,I = 7A DS
ssf8810.pdf
SSF8810 Main Product Characteristics VDSS 20V RDS(on) 14m (typ.) ID 8A Marking and pin TSSOP-8 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Ultra low on-resistance with low gate charge High Power and current handing capability 150 operating temperature G/S ESD protect 2KV (HBM) Description Th
Otros transistores... SSF8205 , SSF8205A , SSF8205U , SSF8205UH2 , SSF8421 , SSF8509 , SSF8521 , SSF8810 , IRLB4132 , SSF8N60 , SSF8N65 , SSF8N80 , SSF8N80F , SSF8N80ZH , SSF8NP60U , SSF9435 , SSF9926 .
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