Справочник MOSFET. SSF8822

 

SSF8822 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF8822
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF8822 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  silikron
ssf8822.pdfpdf_icon

SSF8822

SSF8822 D1D2DESCRIPTION The SSF8822 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation G1 G2with gate voltages as low as 0.8V. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, S1 S2facilitated by its common-drain configuration. Marking and pin Assignment GENERAL FEATURES V = 20V,I = 7A DS

 9.1. Size:534K  silikron
ssf8810.pdfpdf_icon

SSF8822

SSF8810 Main Product Characteristics: VDSS 20V RDS(on) 14m (typ.) ID 8A Marking and pin TSSOP-8 Schematic diagram Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Ultra low on-resistance with low gate charge High Power and current handing capability 150 operating temperature G/S ESD protect 2KV (HBM) Description: Th

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: STD5NK40ZT4 | SPD02N60C3 | SM1A23NSU | IXTH64N10L2 | IRL3803VS | MMBFJ305 | FQU5N60C

 

 
Back to Top

 


 
.