SSF8822 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSF8822  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSF8822

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF8822 даташит

 ..1. Size:304K  silikron
 ssf8822.pdf pdf_icon

SSF8822

SSF8822 D1 D2 DESCRIPTION The SSF8822 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation G1 G2 with gate voltages as low as 0.8V. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, S1 S2 facilitated by its common-drain configuration. Marking and pin Assignment GENERAL FEATURES V = 20V,I = 7A DS

 9.1. Size:534K  silikron
 ssf8810.pdf pdf_icon

SSF8822

SSF8810 Main Product Characteristics VDSS 20V RDS(on) 14m (typ.) ID 8A Marking and pin TSSOP-8 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Ultra low on-resistance with low gate charge High Power and current handing capability 150 operating temperature G/S ESD protect 2KV (HBM) Description Th

Другие IGBT... SSF8205, SSF8205A, SSF8205U, SSF8205UH2, SSF8421, SSF8509, SSF8521, SSF8810, IRLB4132, SSF8N60, SSF8N65, SSF8N80, SSF8N80F, SSF8N80ZH, SSF8NP60U, SSF9435, SSF9926