SSF9N90ZH Todos los transistores

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SSF9N90ZH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSF9N90ZH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 160 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 900 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 152 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.4 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO247

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SSF9N90ZH Datasheet (PDF)

1.1. ssf9n90zh.pdf Size:501K _silikron

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 SSF9N90ZH  Main Product Characteristics: VDSS 900V RDS(on) 1.2Ω (typ.) ID 9A TO-247 Marking and pin Schematic diagram  Assignment  Features and Benefits:  Advanced MOSFET process technology  Special designed for PWM, load switching and general purpose applications  Ultra low on-resistance with low gate charge  Fast switching and reverse body recovery

3.1. ssf9n90a.pdf Size:943K _samsung

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Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.4 ? Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 0.938 ? (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value Units V

5.1. ssf9n80a.pdf Size:935K _samsung

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Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.3 ? Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1.000 ? (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value Units V

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