SSF9N90ZH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF9N90ZH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SSF9N90ZH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF9N90ZH даташит

 ..1. Size:501K  silikron
 ssf9n90zh.pdf pdf_icon

SSF9N90ZH

 7.1. Size:943K  samsung
 ssf9n90a.pdf pdf_icon

SSF9N90ZH

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) 0.938 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

 9.1. Size:935K  samsung
 ssf9n80a.pdf pdf_icon

SSF9N90ZH

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 1.000 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

Другие IGBT... SSF8N60, SSF8N65, SSF8N80, SSF8N80F, SSF8N80ZH, SSF8NP60U, SSF9435, SSF9926, AON7410, SSFK3204, SSFK3208, SSFD3004, SSFD3005, SSFD3006, SSFD4004, SSFD4024, SSFD6035