SSFD3005 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSFD3005
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252E-2-M

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSFD3005

SSFD3005 Datasheet (PDF)

..1. Size:222K silikron
ssfd3005.pdf

SSFD3005DDESCRIPTION The SSFD3005 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS =- 30V,ID =-10A RDS(ON)

7.1. Size:668K silikron
ssfd3006.pdf

SSFD3006 Main Product Characteristics: VDSS 30V SSF3612DSSF3612DSSF3612DSSF3612DSSFD3006SSFD3006 RDS(on) 3.8m (typ.) ID 90A TO-252 (D-PAK)Marking and pin Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance wi

7.2. Size:293K silikron
ssfd3004.pdf

SSFD3004DDESCRIPTION The SSFD3004 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID =55A RDS(ON)

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: