SSFD3005. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSFD3005

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO252E-2-M

Аналог (замена) для SSFD3005

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSFD3005 даташит

 ..1. Size:222K  silikron
 ssfd3005.pdf pdf_icon

SSFD3005

SSFD3005 D DESCRIPTION The SSFD3005 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) G and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS =- 30V,ID =-10A RDS(ON)

 7.1. Size:668K  silikron
 ssfd3006.pdf pdf_icon

SSFD3005

SSFD3006 Main Product Characteristics VDSS 30V SSF3612D SSF3612D SSF3612D SSF3612D SSFD3006 SSFD3006 RDS(on) 3.8m (typ.) ID 90A TO-252 (D-PAK) Marking and pin Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance wi

 7.2. Size:293K  silikron
 ssfd3004.pdf pdf_icon

SSFD3005

SSFD3004 D DESCRIPTION The SSFD3004 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) G and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID =55A RDS(ON)

Другие IGBT... SSF8N80ZH, SSF8NP60U, SSF9435, SSF9926, SSF9N90ZH, SSFK3204, SSFK3208, SSFD3004, IRFB3607, SSFD3006, SSFD4004, SSFD4024, SSFD6035, SSFD6046, SSFM1022, SSFM2506, SSFM3008