SSFD6035 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSFD6035  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: DPAK

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SSFD6035 datasheet

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SSFD6035

SSFD6035 D DESCRIPTION The SSFD6035 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) G and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS =- 60V,ID =-26A RDS(ON)

 8.1. Size:1083K  silikron
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SSFD6035

SSFD6046 Feathers ID =12A Advanced trench process technology BV=60V avalanche energy, 100% test Rdson=50m max. Fully characterized avalanche voltage and current Description The SSFD6046 is a new generation of middle voltage N Channel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and electrical SSFD6046 param

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