SSFD6035 Todos los transistores

 

SSFD6035 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSFD6035

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 60 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 26 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 48 nC

Tiempo de elevación (tr): 20 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.04 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK

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SSFD6035 Datasheet (PDF)

1.1. ssfd6035.pdf Size:322K _silikron

SSFD6035
SSFD6035

SSFD6035 D DESCRIPTION The SSFD6035 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) G and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES ● VDS =- 60V,ID =-26A RDS(ON) < 40mΩ @ VGS=-10V RDS(ON) < 55mΩ @ VGS=-4.5V ● High Power and current handing capability ● Lead fr

4.1. ssfd6046.pdf Size:1083K _silikron

SSFD6035
SSFD6035

SSFD6046 Feathers: ID =12A Advanced trench process technology BV=60V avalanche energy, 100% test Rdson=50mΩ(max.) Fully characterized avalanche voltage and current Description: The SSFD6046 is a new generation of middle voltage N–Channel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and electrical SSFD6046 param

 

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