SSFD6035. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSFD6035

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для SSFD6035

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSFD6035 даташит

 ..1. Size:322K  silikron
 ssfd6035.pdf pdf_icon

SSFD6035

SSFD6035 D DESCRIPTION The SSFD6035 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) G and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS =- 60V,ID =-26A RDS(ON)

 8.1. Size:1083K  silikron
 ssfd6046.pdf pdf_icon

SSFD6035

SSFD6046 Feathers ID =12A Advanced trench process technology BV=60V avalanche energy, 100% test Rdson=50m max. Fully characterized avalanche voltage and current Description The SSFD6046 is a new generation of middle voltage N Channel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and electrical SSFD6046 param

Другие IGBT... SSF9N90ZH, SSFK3204, SSFK3208, SSFD3004, SSFD3005, SSFD3006, SSFD4004, SSFD4024, NCEP15T14, SSFD6046, SSFM1022, SSFM2506, SSFM3008, SSFM3008H1, SSFM3008L, SSFM8005, SSFN2220