Справочник MOSFET. SSFD6035

 

SSFD6035 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSFD6035
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для SSFD6035

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSFD6035 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  silikron
 ssfd6035.pdf pdf_icon

SSFD6035

SSFD6035DDESCRIPTION The SSFD6035 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS =- 60V,ID =-26A RDS(ON)

 8.1. Size:1083K  silikron
 ssfd6046.pdf pdf_icon

SSFD6035

SSFD6046 Feathers: ID =12A Advanced trench process technology BV=60V avalanche energy, 100% test Rdson=50mmax. Fully characterized avalanche voltage and current Description: The SSFD6046 is a new generation of middle voltage NChannel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and electrical SSFD6046param

Другие MOSFET... SSF9N90ZH , SSFK3204 , SSFK3208 , SSFD3004 , SSFD3005 , SSFD3006 , SSFD4004 , SSFD4024 , IRFP450 , SSFD6046 , SSFM1022 , SSFM2506 , SSFM3008 , SSFM3008H1 , SSFM3008L , SSFM8005 , SSFN2220 .

History: NP80N03DDE | IRLB8743 | IRL60HS118

 

 
Back to Top

 


 
.