Справочник MOSFET. SSFD6035

 

SSFD6035 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSFD6035
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSFD6035 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  silikron
 ssfd6035.pdf pdf_icon

SSFD6035

SSFD6035DDESCRIPTION The SSFD6035 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS =- 60V,ID =-26A RDS(ON)

 8.1. Size:1083K  silikron
 ssfd6046.pdf pdf_icon

SSFD6035

SSFD6046 Feathers: ID =12A Advanced trench process technology BV=60V avalanche energy, 100% test Rdson=50mmax. Fully characterized avalanche voltage and current Description: The SSFD6046 is a new generation of middle voltage NChannel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and electrical SSFD6046param

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: FTK2N60P | STP80NF03L | NCE0140K2 | KP745B | STP16NF06FP | JFFC13N65C | AP01L60H-A-HF

 

 
Back to Top

 


 
.