Справочник MOSFET. SSFD6035

 

SSFD6035 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSFD6035
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для SSFD6035

 

 

SSFD6035 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  silikron
 ssfd6035.pdf

SSFD6035 SSFD6035

SSFD6035DDESCRIPTION The SSFD6035 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS =- 60V,ID =-26A RDS(ON)

 8.1. Size:1083K  silikron
 ssfd6046.pdf

SSFD6035 SSFD6035

SSFD6046 Feathers: ID =12A Advanced trench process technology BV=60V avalanche energy, 100% test Rdson=50mmax. Fully characterized avalanche voltage and current Description: The SSFD6046 is a new generation of middle voltage NChannel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and electrical SSFD6046param

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top