SSFD6046 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSFD6046
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSFD6046

SSFD6046 Datasheet (PDF)

..1. Size:1083K silikron
ssfd6046.pdf

SSFD6046 Feathers: ID =12A Advanced trench process technology BV=60V avalanche energy, 100% test Rdson=50mmax. Fully characterized avalanche voltage and current Description: The SSFD6046 is a new generation of middle voltage NChannel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and electrical SSFD6046param

8.1. Size:322K silikron
ssfd6035.pdf

SSFD6035DDESCRIPTION The SSFD6035 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS =- 60V,ID =-26A RDS(ON)

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Liste

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