SSFD6046 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSFD6046

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: DPAK

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SSFD6046 datasheet

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SSFD6046

SSFD6046 Feathers ID =12A Advanced trench process technology BV=60V avalanche energy, 100% test Rdson=50m max. Fully characterized avalanche voltage and current Description The SSFD6046 is a new generation of middle voltage N Channel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and electrical SSFD6046 param

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SSFD6046

SSFD6035 D DESCRIPTION The SSFD6035 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) G and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS =- 60V,ID =-26A RDS(ON)

Otros transistores... SSFK3204, SSFK3208, SSFD3004, SSFD3005, SSFD3006, SSFD4004, SSFD4024, SSFD6035, AON7506, SSFM1022, SSFM2506, SSFM3008, SSFM3008H1, SSFM3008L, SSFM8005, SSFN2220, SSFN2269