SSFD6046. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSFD6046

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для SSFD6046

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSFD6046 даташит

 ..1. Size:1083K  silikron
 ssfd6046.pdf pdf_icon

SSFD6046

SSFD6046 Feathers ID =12A Advanced trench process technology BV=60V avalanche energy, 100% test Rdson=50m max. Fully characterized avalanche voltage and current Description The SSFD6046 is a new generation of middle voltage N Channel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and electrical SSFD6046 param

 8.1. Size:322K  silikron
 ssfd6035.pdf pdf_icon

SSFD6046

SSFD6035 D DESCRIPTION The SSFD6035 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) G and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS =- 60V,ID =-26A RDS(ON)

Другие IGBT... SSFK3204, SSFK3208, SSFD3004, SSFD3005, SSFD3006, SSFD4004, SSFD4024, SSFD6035, AON7506, SSFM1022, SSFM2506, SSFM3008, SSFM3008H1, SSFM3008L, SSFM8005, SSFN2220, SSFN2269