SSFN3317 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSFN3317
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSFN3317

SSFN3317 Datasheet (PDF)

..1. Size:192K silikron
ssfn3317.pdf

SSFN3317DDESCRIPTION The SSFN3317 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS =-30V,ID =-7A RDS(ON)

7.1. Size:192K silikron
ssfn3313.pdf

SSFN3313DDESCRIPTION The SSFN3313 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS =-30V,ID =-8A RDS(ON)

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Liste

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