SSFN3317 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSFN3317

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: DFN3X3-8L

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SSFN3317 datasheet

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SSFN3317

SSFN3317 D DESCRIPTION The SSFN3317 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) G and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS =-30V,ID =-7A RDS(ON)

 7.1. Size:192K  silikron
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SSFN3317

SSFN3313 D DESCRIPTION The SSFN3313 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) G and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS =-30V,ID =-8A RDS(ON)

Otros transistores... SSFM3008H1, SSFM3008L, SSFM8005, SSFN2220, SSFN2269, SSFN2316E, SSFN2569, SSFN3313, RFP50N06, SSFN6816, SSFT3904, SSFT3904J7-HF, SSFT3904U, SSFT3906, SSFT4002, SSFT4003, SSFT4003A