SSFN3317 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SSFN3317
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3-8L
Аналог (замена) для SSFN3317
SSFN3317 Datasheet (PDF)
ssfn3317.pdf

SSFN3317DDESCRIPTION The SSFN3317 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS =-30V,ID =-7A RDS(ON)
ssfn3313.pdf

SSFN3313DDESCRIPTION The SSFN3313 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS =-30V,ID =-8A RDS(ON)
Другие MOSFET... SSFM3008H1 , SSFM3008L , SSFM8005 , SSFN2220 , SSFN2269 , SSFN2316E , SSFN2569 , SSFN3313 , IRF2807 , SSFN6816 , SSFT3904 , SSFT3904J7-HF , SSFT3904U , SSFT3906 , SSFT4002 , SSFT4003 , SSFT4003A .
History: LSGN04R029 | 2SK2874-01L | SPC7N65G | JMSH1565AGS | MSF2N60 | VBZM150N03 | SJMN380R60F
History: LSGN04R029 | 2SK2874-01L | SPC7N65G | JMSH1565AGS | MSF2N60 | VBZM150N03 | SJMN380R60F



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor