SSFN3317. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSFN3317

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3-8L

Аналог (замена) для SSFN3317

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSFN3317 даташит

 ..1. Size:192K  silikron
 ssfn3317.pdf pdf_icon

SSFN3317

SSFN3317 D DESCRIPTION The SSFN3317 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) G and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS =-30V,ID =-7A RDS(ON)

 7.1. Size:192K  silikron
 ssfn3313.pdf pdf_icon

SSFN3317

SSFN3313 D DESCRIPTION The SSFN3313 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) G and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS =-30V,ID =-8A RDS(ON)

Другие IGBT... SSFM3008H1, SSFM3008L, SSFM8005, SSFN2220, SSFN2269, SSFN2316E, SSFN2569, SSFN3313, RFP50N06, SSFN6816, SSFT3904, SSFT3904J7-HF, SSFT3904U, SSFT3906, SSFT4002, SSFT4003, SSFT4003A