FSW25N50A Todos los transistores

 

FSW25N50A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FSW25N50A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 117 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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FSW25N50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  inpower semi
 fsw25n50a.pdf pdf_icon

FSW25N50A

FSW25N50AN-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications: Uninterruptible Power Supply(UPS)VDSS RDS(ON) (Typ.) ID LCD Panel Power 500V 0.18 25A SMPS Power DC-AC InverterFSW25N50 RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve ESD Capability ImprovedGDSOrdering InformationPART NU

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History: SSM6K06FU | P4004ED | LNND04R120

 

 
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