FSW25N50A Todos los transistores

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FSW25N50A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FSW25N50A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 230 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 117 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 410 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.26 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3PN

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FSW25N50A Datasheet (PDF)

1.1. fsw25n50a.pdf Size:234K _inpower_semi

FSW25N50A
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FSW25N50A N-Channel MOSFET Pb Lead Free Package and Finish Applications: • Uninterruptible Power Supply(UPS) VDSS RDS(ON) (Typ.) ID • LCD Panel Power 500V 0.18 Ω 25A • SMPS Power • DC-AC Inverter FSW25N50 • RoHS Compliant • Low ON Resistance • Low Gate Charge • Peak Current vs Pulse Width Curve • ESD Capability Improved G D S Ordering Information PART NU

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