FSW25N50A Todos los transistores

 

FSW25N50A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FSW25N50A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 117 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm

Encapsulados: TO3PN

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FSW25N50A datasheet

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FSW25N50A

FSW25N50A N-Channel MOSFET Pb Lead Free Package and Finish Applications Uninterruptible Power Supply(UPS) VDSS RDS(ON) (Typ.) ID LCD Panel Power 500V 0.18 25A SMPS Power DC-AC Inverter FSW25N50 RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve ESD Capability Improved G D S Ordering Information PART NU

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