Справочник MOSFET. FSW25N50A

 

FSW25N50A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FSW25N50A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 117 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для FSW25N50A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSW25N50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  inpower semi
 fsw25n50a.pdf pdf_icon

FSW25N50A

FSW25N50AN-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications: Uninterruptible Power Supply(UPS)VDSS RDS(ON) (Typ.) ID LCD Panel Power 500V 0.18 25A SMPS Power DC-AC InverterFSW25N50 RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve ESD Capability ImprovedGDSOrdering InformationPART NU

Другие MOSFET... 2SK2077 , 2SK1488 , 2SK606 , 2SJ646 , 2SJ169 , 2SJ170 , FSA07N60A , FSN01N60A , AON7408 , FTD02N60C , FTU02N60C , FTD220 , FTU220 , FTP02N60C , FTA02N60C , FTP02N65 , FTA02N65 .

History: IPW65R190E6 | IRFB7434

 

 
Back to Top

 


 
.