Справочник MOSFET. FSW25N50A

 

FSW25N50A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FSW25N50A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 117 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FSW25N50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  inpower semi
 fsw25n50a.pdf pdf_icon

FSW25N50A

FSW25N50AN-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications: Uninterruptible Power Supply(UPS)VDSS RDS(ON) (Typ.) ID LCD Panel Power 500V 0.18 25A SMPS Power DC-AC InverterFSW25N50 RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve ESD Capability ImprovedGDSOrdering InformationPART NU

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFR4105ZTR | FCP260N65S3 | RD3S100CN | 2N65G-TMA-T | KF13N60N | 2P978D | SWN4N70D1

 

 
Back to Top

 


 
.