FSW25N50A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FSW25N50A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 117 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
Тип корпуса: TO3PN
Аналог (замена) для FSW25N50A
FSW25N50A Datasheet (PDF)
fsw25n50a.pdf
FSW25N50AN-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications: Uninterruptible Power Supply(UPS)VDSS RDS(ON) (Typ.) ID LCD Panel Power 500V 0.18 25A SMPS Power DC-AC InverterFSW25N50 RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve ESD Capability ImprovedGDSOrdering InformationPART NU
Другие MOSFET... 2SK2077 , 2SK1488 , 2SK606 , 2SJ646 , 2SJ169 , 2SJ170 , FSA07N60A , FSN01N60A , IRFP250N , FTD02N60C , FTU02N60C , FTD220 , FTU220 , FTP02N60C , FTA02N60C , FTP02N65 , FTA02N65 .
History: AP2N050H | ISCNH375W | AP30T10GS | SI2305DS-T1-GE3 | IRF152 | MMBT7002 | JMSH1008PC
History: AP2N050H | ISCNH375W | AP30T10GS | SI2305DS-T1-GE3 | IRF152 | MMBT7002 | JMSH1008PC
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10


