FSW25N50A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FSW25N50A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 117 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
Тип корпуса: TO3PN
Аналог (замена) для FSW25N50A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FSW25N50A даташит
fsw25n50a.pdf
FSW25N50A N-Channel MOSFET Pb Lead Free Package and Finish Applications Uninterruptible Power Supply(UPS) VDSS RDS(ON) (Typ.) ID LCD Panel Power 500V 0.18 25A SMPS Power DC-AC Inverter FSW25N50 RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve ESD Capability Improved G D S Ordering Information PART NU
Другие MOSFET... 2SK2077 , 2SK1488 , 2SK606 , 2SJ646 , 2SJ169 , 2SJ170 , FSA07N60A , FSN01N60A , IRFP250N , FTD02N60C , FTU02N60C , FTD220 , FTU220 , FTP02N60C , FTA02N60C , FTP02N65 , FTA02N65 .
History: FTP02N60C | FDMD82100L
History: FTP02N60C | FDMD82100L
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10

