FTQ02N65B Todos los transistores

 

FTQ02N65B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTQ02N65B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm

Encapsulados: TO126

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FTQ02N65B datasheet

 ..1. Size:275K  inpower semi
 ftp02n65b fta02n65b ftq02n65b.pdf pdf_icon

FTQ02N65B

FTP02N65B FTA02N65B FTQ02N65B N-Channel MOSFET Pb Lead Free Package and Finish Applications Adaptor VDSS RDS(ON) (Max.) ID Charger 650V 8.0 1.5A SMPS Standby Power LCD Panel Power Features RoHS Compliant Low ON Resistance D Low Gate Charge G G Peak Current vs Pulse Width Curve DS DS Inductive Switching Curves TO-220 TO-220F G Order

Otros transistores... FTD220 , FTU220 , FTP02N60C , FTA02N60C , FTP02N65 , FTA02N65 , FTP02N65B , FTA02N65B , K3569 , FTP04N60C , FTA04N60C , FTP04N60D , FTA04N60D , FTP04N65 , FTA04N65 , FTP06N60C , FTA06N60C .

History: 2SK1330

 

 

 

 

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