FTQ02N65B Todos los transistores

 

FTQ02N65B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTQ02N65B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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FTQ02N65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:275K  inpower semi
 ftp02n65b fta02n65b ftq02n65b.pdf pdf_icon

FTQ02N65B

FTP02N65BFTA02N65B FTQ02N65BN-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications: AdaptorVDSS RDS(ON) (Max.) ID Charger650V 8.0 1.5A SMPS Standby Power LCD Panel PowerFeatures: RoHS Compliant Low ON ResistanceD Low Gate ChargeGG Peak Current vs Pulse Width CurveDS DS Inductive Switching Curves TO-220 TO-220FGOrder

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History: AP18P10GJ-HF | AP4953GM-HF

 

 
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