Справочник MOSFET. FTQ02N65B

 

FTQ02N65B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTQ02N65B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO126
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FTQ02N65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:275K  inpower semi
 ftp02n65b fta02n65b ftq02n65b.pdf pdf_icon

FTQ02N65B

FTP02N65BFTA02N65B FTQ02N65BN-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications: AdaptorVDSS RDS(ON) (Max.) ID Charger650V 8.0 1.5A SMPS Standby Power LCD Panel PowerFeatures: RoHS Compliant Low ON ResistanceD Low Gate ChargeGG Peak Current vs Pulse Width CurveDS DS Inductive Switching Curves TO-220 TO-220FGOrder

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 2SK3772-01 | WMLL065N15HG2 | VBFB1405 | GT1003B | IPI600N25N3G | DH105N07D | AM40N20-180P

 

 
Back to Top

 


 
.