FTQ02N65B - описание и поиск аналогов

 

FTQ02N65B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTQ02N65B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: TO126

Аналог (замена) для FTQ02N65B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTQ02N65B даташит

 ..1. Size:275K  inpower semi
 ftp02n65b fta02n65b ftq02n65b.pdf pdf_icon

FTQ02N65B

FTP02N65B FTA02N65B FTQ02N65B N-Channel MOSFET Pb Lead Free Package and Finish Applications Adaptor VDSS RDS(ON) (Max.) ID Charger 650V 8.0 1.5A SMPS Standby Power LCD Panel Power Features RoHS Compliant Low ON Resistance D Low Gate Charge G G Peak Current vs Pulse Width Curve DS DS Inductive Switching Curves TO-220 TO-220F G Order

Другие MOSFET... FTD220 , FTU220 , FTP02N60C , FTA02N60C , FTP02N65 , FTA02N65 , FTP02N65B , FTA02N65B , K3569 , FTP04N60C , FTA04N60C , FTP04N60D , FTA04N60D , FTP04N65 , FTA04N65 , FTP06N60C , FTA06N60C .

History: SM6043CSQ | 2SJ615

 

 

 

 

↑ Back to Top
.