Справочник MOSFET. FTQ02N65B

 

FTQ02N65B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTQ02N65B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO126
 

 Аналог (замена) для FTQ02N65B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTQ02N65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:275K  inpower semi
 ftp02n65b fta02n65b ftq02n65b.pdf pdf_icon

FTQ02N65B

FTP02N65BFTA02N65B FTQ02N65BN-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications: AdaptorVDSS RDS(ON) (Max.) ID Charger650V 8.0 1.5A SMPS Standby Power LCD Panel PowerFeatures: RoHS Compliant Low ON ResistanceD Low Gate ChargeGG Peak Current vs Pulse Width CurveDS DS Inductive Switching Curves TO-220 TO-220FGOrder

Другие MOSFET... FTD220 , FTU220 , FTP02N60C , FTA02N60C , FTP02N65 , FTA02N65 , FTP02N65B , FTA02N65B , SPP20N60C3 , FTP04N60C , FTA04N60C , FTP04N60D , FTA04N60D , FTP04N65 , FTA04N65 , FTP06N60C , FTA06N60C .

History: IPB023N06N3G | LSD60R1K4HT | RHU003N03FRA | 2SK2288 | RU190N10R | AOB9N70L | AFC6602

 

 
Back to Top

 


 
.