FTU01N60C Todos los transistores

 

FTU01N60C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTU01N60C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm

Encapsulados: TO251

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FTU01N60C datasheet

 ..1. Size:288K  inpower semi
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FTU01N60C

FTU01N60C N-Channel MOSFET Pb Lead Free Package and Finish Applications VDSS RDS(ON) (Max.) ID Adaptor Charger 600V 8.0 1.1A SMPS Features RoHS Compliant D Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching Curves G G D S Ordering Information PART NUMBER PACKAGE BRAND S TO-251 Not to Scale FTU01N

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History: IPA037N08N3 | 2SK746 | EC4953

 

 

 

 

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