FTU01N60C - аналоги и даташиты транзистора

 

FTU01N60C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FTU01N60C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для FTU01N60C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTU01N60C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:288K  inpower semi
 ftu01n60c.pdf pdf_icon

FTU01N60C

FTU01N60CN-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications:VDSS RDS(ON) (Max.) IDAdaptor Charger600V 8.0 1.1ASMPSFeatures: RoHS Compliant D Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching CurvesGG DSOrdering InformationPART NUMBER PACKAGE BRAND STO-251Not to ScaleFTU01N

Другие MOSFET... FTP06N65 , FTA06N65 , FTP10N60C , FTA10N60C , FTP11N08 , FTP18N06 , FTP18N06N , FTP22N06B , 18N50 , L1N60 , L2N600 , L4N60 , L75N75 , LIRFZ44N , SPI80N03S2-03 , SPP80N03S2-03 , SPB80N03S2-03 .

History: 2SK2770-01 | 2SK3320 | IRHM9260

 

 
Back to Top

 


 
.