FTU01N60C - описание и поиск аналогов

 

FTU01N60C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTU01N60C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для FTU01N60C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTU01N60C даташит

 ..1. Size:288K  inpower semi
 ftu01n60c.pdf pdf_icon

FTU01N60C

FTU01N60C N-Channel MOSFET Pb Lead Free Package and Finish Applications VDSS RDS(ON) (Max.) ID Adaptor Charger 600V 8.0 1.1A SMPS Features RoHS Compliant D Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching Curves G G D S Ordering Information PART NUMBER PACKAGE BRAND S TO-251 Not to Scale FTU01N

Другие MOSFET... FTP06N65 , FTA06N65 , FTP10N60C , FTA10N60C , FTP11N08 , FTP18N06 , FTP18N06N , FTP22N06B , STP80NF70 , L1N60 , L2N600 , L4N60 , L75N75 , LIRFZ44N , SPI80N03S2-03 , SPP80N03S2-03 , SPB80N03S2-03 .

History: AOC3860C | D2N60 | B2N65

 

 

 

 

↑ Back to Top
.