Справочник MOSFET. FTU01N60C

 

FTU01N60C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTU01N60C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FTU01N60C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:288K  inpower semi
 ftu01n60c.pdf pdf_icon

FTU01N60C

FTU01N60CN-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications:VDSS RDS(ON) (Max.) IDAdaptor Charger600V 8.0 1.1ASMPSFeatures: RoHS Compliant D Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching CurvesGG DSOrdering InformationPART NUMBER PACKAGE BRAND STO-251Not to ScaleFTU01N

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.