L4N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: L4N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 106 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
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L4N60 datasheet
l4n60.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. L4N60 4 Amps, 600 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-220 The LRC L4N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed 1 switching applications i
bl4n60a-p bl4n60a-a bl4n60a-u bl4n60a-d.pdf
BL4N60A Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL4N60A, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa
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