L4N60 - описание и поиск аналогов

 

L4N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: L4N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 106 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO220 TO220F

Аналог (замена) для L4N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

L4N60 даташит

 ..1. Size:521K  lrc
 l4n60.pdf pdf_icon

L4N60

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. L4N60 4 Amps, 600 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-220 The LRC L4N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed 1 switching applications i

 0.1. Size:1303K  belling
 bl4n60a-p bl4n60a-a bl4n60a-u bl4n60a-d.pdf pdf_icon

L4N60

BL4N60A Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL4N60A, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

Другие MOSFET... FTA10N60C , FTP11N08 , FTP18N06 , FTP18N06N , FTP22N06B , FTU01N60C , L1N60 , L2N600 , AO4407 , L75N75 , LIRFZ44N , SPI80N03S2-03 , SPP80N03S2-03 , SPB80N03S2-03 , STP80NF70 , CL616BA , P0160AI .

History: AGM60P85AP | ME2N7002D | CM12N60AF | 2N65KG-TN3-R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.