P0270ATF Todos los transistores

 

P0270ATF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P0270ATF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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P0270ATF Datasheet (PDF)

 0.1. Size:496K  unikc
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P0270ATF

P0270ATF / P0270ATFSN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6.3 @VGS = 10V700V 2ATO-220F TO-220FSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 30 VTC = 25 C2IDContinuous Drain Current2TC = 100 AC1IDM8Pulsed Drain Current1EAS5 m

Otros transistores... P0260AI , P0260AT , P0260ATF , P0260ATFS , P0260ED , P0260EI , P0260EIS , P0260ETF , IRF520 , P0270ATFS , P0303BD , P0303BKA , P0303BV , P0320AL , P0403BD , P0403BDA , P0403BDG .

History: 2SJ533 | FDD8896 | ZVN4206A | IRF3710S | BUZ907

 

 
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