Справочник MOSFET. P0270ATF

 

P0270ATF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0270ATF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для P0270ATF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0270ATF Datasheet (PDF)

 0.1. Size:496K  unikc
 p0270atf-s.pdf pdf_icon

P0270ATF

P0270ATF / P0270ATFSN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6.3 @VGS = 10V700V 2ATO-220F TO-220FSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 30 VTC = 25 C2IDContinuous Drain Current2TC = 100 AC1IDM8Pulsed Drain Current1EAS5 m

Другие MOSFET... P0260AI , P0260AT , P0260ATF , P0260ATFS , P0260ED , P0260EI , P0260EIS , P0260ETF , IRF520 , P0270ATFS , P0303BD , P0303BKA , P0303BV , P0320AL , P0403BD , P0403BDA , P0403BDG .

History: AOTF262L | IRFF110

 

 
Back to Top

 


 
.