P0420AI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P0420AI
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
Encapsulados: TO251
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P0420AI datasheet
p0420ai-ad.pdf
P0420AI / P0420AD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 200V 0.7 @VGS = 10V 4A TO-251 TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 200 V Gate-Source Voltage VGS 20 TC = 25 C 4 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 3 A IDM 16 Pulsed
Otros transistores... P0320AL , P0403BD , P0403BDA , P0403BDG , P0403BT , P0403BV , P0403BVG , P0420AD , K2611 , P0425AD , P0425AI , P7004EM , P7004EV , P7006BL , P7502CMG , P7503BMG , P75N02LDG .
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