P0420AI Todos los transistores

 

P0420AI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P0420AI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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P0420AI Datasheet (PDF)

 0.1. Size:477K  unikc
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P0420AI

P0420AI / P0420ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID200V 0.7 @VGS = 10V 4ATO-251 TO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS200VGate-Source Voltage VGS20TC = 25 C4IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C3AIDM16Pulsed

Otros transistores... P0320AL , P0403BD , P0403BDA , P0403BDG , P0403BT , P0403BV , P0403BVG , P0420AD , IRF9640 , P0425AD , P0425AI , P7004EM , P7004EV , P7006BL , P7502CMG , P7503BMG , P75N02LDG .

History: 50N06L-TF3T-T | SIHFU430A | P1203BKA

 

 
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