Справочник MOSFET. P0420AI

 

P0420AI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0420AI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

P0420AI Datasheet (PDF)

 0.1. Size:477K  unikc
 p0420ai-ad.pdf pdf_icon

P0420AI

P0420AI / P0420ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID200V 0.7 @VGS = 10V 4ATO-251 TO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS200VGate-Source Voltage VGS20TC = 25 C4IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C3AIDM16Pulsed

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: FDB8441F085 | AON7902 | R6524KNX | IRC330 | CS6N120P | IRF7749L1TRPBF | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.