P7006BL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P7006BL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de P7006BL MOSFET
P7006BL Datasheet (PDF)
p7006bl.pdf

P7006BLN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID70m @VGS = 10V60V 3.8ASOT-223ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C3.8IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C3AIDM25Pulsed Drain Current12IASAvalanche Current 16
sup70060e.pdf

SUP70060Ewww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature0.0058 at VGS = 10 V 131100 53.5 nC 100 % Rg and UIS tested0.0064 at VGS = 7.5 V 129 Material categorization:for definitions of compliance please see TO-220A
sup70060e.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor SUP70060EFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt
Otros transistores... P0403BV , P0403BVG , P0420AD , P0420AI , P0425AD , P0425AI , P7004EM , P7004EV , BS170 , P7502CMG , P7503BMG , P75N02LDG , PZP003BYB , PZP103BYB , TD304BH , TD357EG , TD381BA .
History: JCS4N90VA | AP9434GM-HF | MMD70R900PRH | P7004EV | PNMT45V2
History: JCS4N90VA | AP9434GM-HF | MMD70R900PRH | P7004EV | PNMT45V2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet