P7503BMG Todos los transistores

 

P7503BMG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P7503BMG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de P7503BMG MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

P7503BMG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  unikc
 p7503bmg.pdf pdf_icon

P7503BMG

P7503BMGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 75m @VGS = 4.5V 2.5ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C2.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C1.6AIDM10Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 12

Otros transistores... P0420AD , P0420AI , P0425AD , P0425AI , P7004EM , P7004EV , P7006BL , P7502CMG , 5N50 , P75N02LDG , PZP003BYB , PZP103BYB , TD304BH , TD357EG , TD381BA , TD422BL , P4506BD .

History: P1120EF | PDC2306Z

 

 
Back to Top

 


 
.