Справочник MOSFET. P7503BMG

 

P7503BMG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P7503BMG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

P7503BMG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  unikc
 p7503bmg.pdf pdf_icon

P7503BMG

P7503BMGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 75m @VGS = 4.5V 2.5ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C2.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C1.6AIDM10Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 12

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDB6690S | SIHP22N65E | STB14NM50N | 2SK2907-01 | RJK0629DPK | RUH1H130S | WMQ46N03T1

 

 
Back to Top

 


 
.