PZP003BYB Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PZP003BYB  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm

Encapsulados: SOT523

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PZP003BYB datasheet

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PZP003BYB

PZP003BYB N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 6 @VGS = 4V 110mA SOT-523 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 110 ID Continuous Drain Current1 TA = 100 C 70 mA IDM 400 Pulsed Drain Current2 IAS Avalanche Current 3

Otros transistores... P0425AD, P0425AI, P7004EM, P7004EV, P7006BL, P7502CMG, P7503BMG, P75N02LDG, AOD4184A, PZP103BYB, TD304BH, TD357EG, TD381BA, TD422BL, P4506BD, P4506BV, P45N02LDG