PZP003BYB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PZP003BYB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT523
Búsqueda de reemplazo de PZP003BYB MOSFET
PZP003BYB Datasheet (PDF)
pzp003byb.pdf

PZP003BYBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 6 @VGS = 4V 110mASOT-523 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C110IDContinuous Drain Current1TA = 100 C70mAIDM400Pulsed Drain Current2IASAvalanche Current 3
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History: SFT1345 | HY3N80T | AOB10T60P | 2SK897-M | KQD1P50 | IXFP26N50P3
History: SFT1345 | HY3N80T | AOB10T60P | 2SK897-M | KQD1P50 | IXFP26N50P3



Liste
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