Справочник MOSFET. PZP003BYB

 

PZP003BYB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: PZP003BYB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.15 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.11 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 45 ns

Выходная емкость (Cd): 11 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 13 Ohm

Тип корпуса: SOT523

Аналог (замена) для PZP003BYB

 

 

PZP003BYB Datasheet (PDF)

1.1. pzp003byb.pdf Size:333K _unikc

PZP003BYB
PZP003BYB

PZP003BYB N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 6Ω @VGS = 4V 110mA SOT-523 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ° C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage ±20 V TA = 25 ° C 110 ID Continuous Drain Current1 TA = 100 ° C 70 mA IDM 400 Pulsed Drain Current2 IAS Avalanche Current 3

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top