PZP003BYB - описание и поиск аналогов

 

PZP003BYB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PZP003BYB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm

Тип корпуса: SOT523

Аналог (замена) для PZP003BYB

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PZP003BYB даташит

 ..1. Size:333K  unikc
 pzp003byb.pdf pdf_icon

PZP003BYB

PZP003BYB N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 6 @VGS = 4V 110mA SOT-523 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 110 ID Continuous Drain Current1 TA = 100 C 70 mA IDM 400 Pulsed Drain Current2 IAS Avalanche Current 3

Другие MOSFET... P0425AD , P0425AI , P7004EM , P7004EV , P7006BL , P7502CMG , P7503BMG , P75N02LDG , IRF730 , PZP103BYB , TD304BH , TD357EG , TD381BA , TD422BL , P4506BD , P4506BV , P45N02LDG .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.