Справочник MOSFET. PZP003BYB

 

PZP003BYB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PZP003BYB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: SOT523
 

 Аналог (замена) для PZP003BYB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PZP003BYB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:333K  unikc
 pzp003byb.pdf pdf_icon

PZP003BYB

PZP003BYBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 6 @VGS = 4V 110mASOT-523 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C110IDContinuous Drain Current1TA = 100 C70mAIDM400Pulsed Drain Current2IASAvalanche Current 3

Другие MOSFET... P0425AD , P0425AI , P7004EM , P7004EV , P7006BL , P7502CMG , P7503BMG , P75N02LDG , BS170 , PZP103BYB , TD304BH , TD357EG , TD381BA , TD422BL , P4506BD , P4506BV , P45N02LDG .

History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T | UT30P04

 

 
Back to Top

 


 
.