PZP103BYB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PZP103BYB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Encapsulados: SOT523
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PZP103BYB datasheet
pzp103byb.pdf
PZP103BYB N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 3 @VGS = 4V 30V 0.3A SOT-523 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 0.3 ID Continuous Drain Current2 TA = 70 C 0.2 A IDM 3 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 1.2
Otros transistores... P0425AI , P7004EM , P7004EV , P7006BL , P7502CMG , P7503BMG , P75N02LDG , PZP003BYB , IRFZ44N , TD304BH , TD357EG , TD381BA , TD422BL , P4506BD , P4506BV , P45N02LDG , P45N02LI .
History: LSH65R570GT
History: LSH65R570GT
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