PZP103BYB Todos los transistores

 

PZP103BYB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PZP103BYB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT523
     - Selección de transistores por parámetros

 

PZP103BYB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  unikc
 pzp103byb.pdf pdf_icon

PZP103BYB

PZP103BYBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID3 @VGS = 4V30V 0.3ASOT-523 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C0.3IDContinuous Drain Current2TA = 70 C0.2AIDM3Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 1.2

Otros transistores... P0425AI , P7004EM , P7004EV , P7006BL , P7502CMG , P7503BMG , P75N02LDG , PZP003BYB , IRFZ44N , TD304BH , TD357EG , TD381BA , TD422BL , P4506BD , P4506BV , P45N02LDG , P45N02LI .

History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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