Справочник MOSFET. PZP103BYB

 

PZP103BYB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PZP103BYB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: SOT523
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PZP103BYB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  unikc
 pzp103byb.pdf pdf_icon

PZP103BYB

PZP103BYBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID3 @VGS = 4V30V 0.3ASOT-523 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C0.3IDContinuous Drain Current2TA = 70 C0.2AIDM3Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 1.2

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SIHFP460 | RU8205G | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | SI5936DU

 

 
Back to Top

 


 
.