PZP103BYB - описание и поиск аналогов

 

PZP103BYB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PZP103BYB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: SOT523

Аналог (замена) для PZP103BYB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PZP103BYB даташит

 ..1. Size:414K  unikc
 pzp103byb.pdf pdf_icon

PZP103BYB

PZP103BYB N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 3 @VGS = 4V 30V 0.3A SOT-523 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 0.3 ID Continuous Drain Current2 TA = 70 C 0.2 A IDM 3 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 1.2

Другие MOSFET... P0425AI , P7004EM , P7004EV , P7006BL , P7502CMG , P7503BMG , P75N02LDG , PZP003BYB , IRFZ44N , TD304BH , TD357EG , TD381BA , TD422BL , P4506BD , P4506BV , P45N02LDG , P45N02LI .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.