Справочник MOSFET. PZP103BYB

 

PZP103BYB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PZP103BYB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: SOT523
 

 Аналог (замена) для PZP103BYB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PZP103BYB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  unikc
 pzp103byb.pdf pdf_icon

PZP103BYB

PZP103BYBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID3 @VGS = 4V30V 0.3ASOT-523 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C0.3IDContinuous Drain Current2TA = 70 C0.2AIDM3Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 1.2

Другие MOSFET... P0425AI , P7004EM , P7004EV , P7006BL , P7502CMG , P7503BMG , P75N02LDG , PZP003BYB , IRFZ44N , TD304BH , TD357EG , TD381BA , TD422BL , P4506BD , P4506BV , P45N02LDG , P45N02LI .

History: AP8N4R2MT | 2SK1692 | FHF10N65B | 7N10 | FQB27P06TM | CEP04N7G | PJA3402

 

 
Back to Top

 


 
.