TD422BL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TD422BL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 76 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 42 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TD422BL

TD422BL Datasheet (PDF)

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td422bl.pdf

TD422BLN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6m @VGS = 10V30V 76ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C76IDContinuous Drain Current2TC = 100 C45AIDM135Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 35EA

Otros transistores... P7502CMG , P7503BMG , P75N02LDG , PZP003BYB , PZP103BYB , TD304BH , TD357EG , TD381BA , IRF840 , P4506BD , P4506BV , P45N02LDG , P45N02LI , P45N03LTFG , P0460AD , P0460AI , P0460AS .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: