Справочник MOSFET. TD422BL

 

TD422BL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TD422BL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для TD422BL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TD422BL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:479K  unikc
 td422bl.pdf pdf_icon

TD422BL

TD422BLN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6m @VGS = 10V30V 76ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C76IDContinuous Drain Current2TC = 100 C45AIDM135Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 35EA

Другие MOSFET... P7502CMG , P7503BMG , P75N02LDG , PZP003BYB , PZP103BYB , TD304BH , TD357EG , TD381BA , 20N60 , P4506BD , P4506BV , P45N02LDG , P45N02LI , P45N03LTFG , P0460AD , P0460AI , P0460AS .

History: VS4802GKM | SSM3J306T | SL2328A | LND150N3 | 2SK1085-M | SPD02N60C3 | STN1304

 

 
Back to Top

 


 
.