P0510AT Todos los transistores

 

P0510AT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P0510AT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 132 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 194 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 851 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm

Encapsulados: TO220

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P0510AT datasheet

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P0510AT

P0510AT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 5.5m @VGS = 10V 100V 132A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 25 TC = 25 C 132 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 83 A IDM 350 Pulsed Drain Cu

Otros transistores... P0465CIS , P0465CS , P0465CT , P0465CTF , P0465CTFS , P0470ATF , P0470ATFS , P0502CEA , IRLB4132 , P0550AD , P0550AT , P0550ATF , P0550BD , P0550BT , P0550ED , P0550EI , P0550ETF .

History: IRFSL4229PBF | 2SK2733 | RD3H200SN | KP726B1

 

 

 

 

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