P0510AT - аналоги и даташиты транзистора

 

P0510AT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P0510AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 132 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 194 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 851 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для P0510AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0510AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:779K  unikc
 p0510at.pdf pdf_icon

P0510AT

P0510ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID5.5m @VGS = 10V100V 132ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 25TC = 25 C132IDContinuous Drain Current2TC = 100 C83AIDM350Pulsed Drain Cu

Другие MOSFET... P0465CIS , P0465CS , P0465CT , P0465CTF , P0465CTFS , P0470ATF , P0470ATFS , P0502CEA , IRLB4132 , P0550AD , P0550AT , P0550ATF , P0550BD , P0550BT , P0550ED , P0550EI , P0550ETF .

History: HM4N90I | IRFSL17N20D | STT3PF20V | BUK9E1R9-40E | NCE30H10BG

 

 
Back to Top

 


 
.