P0510AT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P0510AT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 132 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 146 nC
Время нарастания (tr): 194 ns
Выходная емкость (Cd): 851 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO220
P0510AT Datasheet (PDF)
..1. Size:779K unikc
p0510at.pdf
p0510at.pdf
P0510ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID5.5m @VGS = 10V100V 132ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 25TC = 25 C132IDContinuous Drain Current2TC = 100 C83AIDM350Pulsed Drain Cu
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
