P0510AT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: P0510AT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 132 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 194 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 851 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для P0510AT
P0510AT Datasheet (PDF)
p0510at.pdf
P0510ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID5.5m @VGS = 10V100V 132ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 25TC = 25 C132IDContinuous Drain Current2TC = 100 C83AIDM350Pulsed Drain Cu
Другие MOSFET... P0465CIS , P0465CS , P0465CT , P0465CTF , P0465CTFS , P0470ATF , P0470ATFS , P0502CEA , IRLB4132 , P0550AD , P0550AT , P0550ATF , P0550BD , P0550BT , P0550ED , P0550EI , P0550ETF .
History: WM06P17MR | IPB80N06S2L-07 | 2SK1525 | FDS6890A | MTM10N100E | BRCS18N20FA | WVM30N30
History: WM06P17MR | IPB80N06S2L-07 | 2SK1525 | FDS6890A | MTM10N100E | BRCS18N20FA | WVM30N30
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06


