P057AAT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P057AAT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 192 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 75 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 129 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 60 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1090 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0058 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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P057AAT Datasheet (PDF)

1.1. p057aat.pdf Size:318K _unikc

P057AAT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 75V 5.8mΩ @VGS = 10V 129A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ° C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage ±20 V TC = 25 ° C 129 ID Continuous Drain Current1 TC = 100 ° C 82 A IDM 410 Pulsed Drain Current2 IAS Avalanche Current 60

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Liste

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