P057AAT Todos los transistores

 

P057AAT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P057AAT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 129 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1090 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm

Encapsulados: TO220

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P057AAT datasheet

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P057AAT

P057AAT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 75V 5.8m @VGS = 10V 129A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 129 ID Continuous Drain Current1 TC = 100 C 82 A IDM 410 Pulsed Drain Current2 IAS Avalanche Current 60

Otros transistores... P0550AT , P0550ATF , P0550BD , P0550BT , P0550ED , P0550EI , P0550ETF , P0550ETFS , 12N60 , PZC502FYB , PZD502CMA , PZD502CYB , PT530BA , PT542BA , PD632BA , PD636BA , PD648BA .

History: BUZ84A | JCS4N60S | SSD20N10-130D | WMU080N10HG2 | IPD60R600CP | NTF5P03T3

 

 

 


 
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