P057AAT Todos los transistores

 

P057AAT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P057AAT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 129 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1090 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de P057AAT MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

P057AAT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:318K  unikc
 p057aat.pdf pdf_icon

P057AAT

P057AATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID75V 5.8m @VGS = 10V 129ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C129IDContinuous Drain Current1TC = 100 C82AIDM410Pulsed Drain Current2IASAvalanche Current 60

Otros transistores... P0550AT , P0550ATF , P0550BD , P0550BT , P0550ED , P0550EI , P0550ETF , P0550ETFS , 4N60 , PZC502FYB , PZD502CMA , PZD502CYB , PT530BA , PT542BA , PD632BA , PD636BA , PD648BA .

History: HFF11N60S

 

 
Back to Top

 


 
.