Справочник MOSFET. P057AAT

 

P057AAT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: P057AAT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 75 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 129 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 60 ns

Выходная емкость (Cd): 1090 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0058 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для P057AAT

 

 

P057AAT Datasheet (PDF)

1.1. p057aat.pdf Size:318K _unikc

P057AAT
P057AAT

P057AAT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 75V 5.8mΩ @VGS = 10V 129A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ° C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage ±20 V TC = 25 ° C 129 ID Continuous Drain Current1 TC = 100 ° C 82 A IDM 410 Pulsed Drain Current2 IAS Avalanche Current 60

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top