P057AAT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P057AAT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 129 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1090 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P057AAT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P057AAT даташит

 ..1. Size:318K  unikc
 p057aat.pdf pdf_icon

P057AAT

P057AAT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 75V 5.8m @VGS = 10V 129A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 129 ID Continuous Drain Current1 TC = 100 C 82 A IDM 410 Pulsed Drain Current2 IAS Avalanche Current 60

Другие IGBT... P0550AT, P0550ATF, P0550BD, P0550BT, P0550ED, P0550EI, P0550ETF, P0550ETFS, 5N65, PZC502FYB, PZD502CMA, PZD502CYB, PT530BA, PT542BA, PD632BA, PD636BA, PD648BA