P057AAT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P057AAT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 129 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 223 nC
Время нарастания (tr): 60 ns
Выходная емкость (Cd): 1090 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0058 Ohm
Тип корпуса: TO220
P057AAT Datasheet (PDF)
..1. Size:318K unikc
p057aat.pdf
p057aat.pdf
P057AATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID75V 5.8m @VGS = 10V 129ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C129IDContinuous Drain Current1TC = 100 C82AIDM410Pulsed Drain Current2IASAvalanche Current 60
Другие MOSFET... P0550AT , P0550ATF , P0550BD , P0550BT , P0550ED , P0550EI , P0550ETF , P0550ETFS , P0903BDG , PZC502FYB , PZD502CMA , PZD502CYB , PT530BA , PT542BA , PD632BA , PD636BA , PD648BA .
