Справочник MOSFET. P057AAT

 

P057AAT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P057AAT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 129 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1090 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для P057AAT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P057AAT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:318K  unikc
 p057aat.pdf pdf_icon

P057AAT

P057AATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID75V 5.8m @VGS = 10V 129ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C129IDContinuous Drain Current1TC = 100 C82AIDM410Pulsed Drain Current2IASAvalanche Current 60

Другие MOSFET... P0550AT , P0550ATF , P0550BD , P0550BT , P0550ED , P0550EI , P0550ETF , P0550ETFS , 4N60 , PZC502FYB , PZD502CMA , PZD502CYB , PT530BA , PT542BA , PD632BA , PD636BA , PD648BA .

History: HGD320N20S | CEH2331 | RQK0302GGDQS | STD7NK40Z | IRF1010N | MDF7N50BTH | FCA16N60N

 

 
Back to Top

 


 
.