PT530BA Todos los transistores

 

PT530BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PT530BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 89 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 364 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0043 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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PT530BA Datasheet (PDF)

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PT530BA

PT530BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON)ID24.3m @VGS = 10V30V 89ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C89IDContinuous Drain Current2TC= 100 C56AIDM150Pulsed Drain Curren

Otros transistores... P0550ED , P0550EI , P0550ETF , P0550ETFS , P057AAT , PZC502FYB , PZD502CMA , PZD502CYB , IRLZ44N , PT542BA , PD632BA , PD636BA , PD648BA , PD696BA , PD6A8BA , PD485BA , PD504BA .

History: TK25N60X | AP09T10GH | IXTH22N50P | OSG65R580AF | AO4442 | AO4409 | BF999

 

 
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