PT530BA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PT530BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 89 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 364 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0043 Ohm
Encapsulados: TO220
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PT530BA datasheet
pt530ba.pdf
PT530BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID2 4.3m @VGS = 10V 30V 89A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 89 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 56 A IDM 150 Pulsed Drain Curren
Otros transistores... P0550ED , P0550EI , P0550ETF , P0550ETFS , P057AAT , PZC502FYB , PZD502CMA , PZD502CYB , AON6380 , PT542BA , PD632BA , PD636BA , PD648BA , PD696BA , PD6A8BA , PD485BA , PD504BA .
History: NTD24N06LG | SI3585CDV | AS3400
History: NTD24N06LG | SI3585CDV | AS3400
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Liste
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