PT530BA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PT530BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 89 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 364 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для PT530BA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PT530BA даташит
pt530ba.pdf
PT530BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID2 4.3m @VGS = 10V 30V 89A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 89 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 56 A IDM 150 Pulsed Drain Curren
Другие MOSFET... P0550ED , P0550EI , P0550ETF , P0550ETFS , P057AAT , PZC502FYB , PZD502CMA , PZD502CYB , AON6380 , PT542BA , PD632BA , PD636BA , PD648BA , PD696BA , PD6A8BA , PD485BA , PD504BA .
History: TPC8109 | KP745G | KP780B9
History: TPC8109 | KP745G | KP780B9
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733 | irf9630 | mj2955

