PT530BA - описание и поиск аналогов

 

PT530BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PT530BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 89 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 364 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для PT530BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PT530BA даташит

 ..1. Size:467K  unikc
pt530ba.pdfpdf_icon

PT530BA

PT530BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID2 4.3m @VGS = 10V 30V 89A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 89 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 56 A IDM 150 Pulsed Drain Curren

Другие MOSFET... P0550ED , P0550EI , P0550ETF , P0550ETFS , P057AAT , PZC502FYB , PZD502CMA , PZD502CYB , AON6380 , PT542BA , PD632BA , PD636BA , PD648BA , PD696BA , PD6A8BA , PD485BA , PD504BA .

History: TPC8109 | KP745G | KP780B9

 

 

 

 

↑ Back to Top
.