PD6A8BA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PD6A8BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 261 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm
Encapsulados: TO252
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PD6A8BA datasheet
pd6a8ba.pdf
PD6A8BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 6.2m @VGS = 10V 40V 75A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 75 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 47 A IDM 120 Pulsed Drain Curren
pd6a8ba.pdf
N-Channel Enhancement Mode PD6A8BA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 40V 6.2m 75A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25
Otros transistores... PZD502CMA , PZD502CYB , PT530BA , PT542BA , PD632BA , PD636BA , PD648BA , PD696BA , IRFP450 , PD485BA , PD504BA , PD506BA , PD510BA , PD516BA , PD517BA , PD533BA , PD537BA .
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