PD6A8BA - описание и поиск аналогов

 

PD6A8BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PD6A8BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 261 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для PD6A8BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD6A8BA даташит

 ..1. Size:513K  unikc
 pd6a8ba.pdf pdf_icon

PD6A8BA

PD6A8BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 6.2m @VGS = 10V 40V 75A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 75 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 47 A IDM 120 Pulsed Drain Curren

 ..2. Size:303K  niko-sem
 pd6a8ba.pdf pdf_icon

PD6A8BA

N-Channel Enhancement Mode PD6A8BA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 40V 6.2m 75A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25

Другие MOSFET... PZD502CMA , PZD502CYB , PT530BA , PT542BA , PD632BA , PD636BA , PD648BA , PD696BA , IRFP450 , PD485BA , PD504BA , PD506BA , PD510BA , PD516BA , PD517BA , PD533BA , PD537BA .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.