PD506BA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PD506BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Encapsulados: TO252
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PD506BA datasheet
pd506ba.pdf
PD506BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 6m @VGS = 10V 30V 70A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 70 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 44 A IDM 160 Pulsed Drain Current
Otros transistores... PT542BA , PD632BA , PD636BA , PD648BA , PD696BA , PD6A8BA , PD485BA , PD504BA , BS170 , PD510BA , PD516BA , PD517BA , PD533BA , PD537BA , PD548BA , PD570BA , PD612BA .
History: MDD1752RH
History: MDD1752RH
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