Справочник MOSFET. PD506BA

 

PD506BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PD506BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для PD506BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD506BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:524K  unikc
 pd506ba.pdf pdf_icon

PD506BA

PD506BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6m @VGS = 10V30V 70ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C70IDContinuous Drain Current2TC = 100 C44AIDM160Pulsed Drain Current

Другие MOSFET... PT542BA , PD632BA , PD636BA , PD648BA , PD696BA , PD6A8BA , PD485BA , PD504BA , 18N50 , PD510BA , PD516BA , PD517BA , PD533BA , PD537BA , PD548BA , PD570BA , PD612BA .

History: STV200N55F3 | SPI15N60CFD | CED3172 | 2SK1546 | SM2F07NSU | CEU83A3

 

 
Back to Top

 


 
.