PD506BA - описание и поиск аналогов

 

PD506BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PD506BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для PD506BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD506BA даташит

 ..1. Size:524K  unikc
 pd506ba.pdf pdf_icon

PD506BA

PD506BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 6m @VGS = 10V 30V 70A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 70 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 44 A IDM 160 Pulsed Drain Current

Другие MOSFET... PT542BA , PD632BA , PD636BA , PD648BA , PD696BA , PD6A8BA , PD485BA , PD504BA , BS170 , PD510BA , PD516BA , PD517BA , PD533BA , PD537BA , PD548BA , PD570BA , PD612BA .

History: IPA60R520C6 | BUK765R0-100E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.