PD510BA Todos los transistores

 

PD510BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PD510BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 92 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 354 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0043 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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PD510BA Datasheet (PDF)

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PD510BA

PD510BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID4.3m @VGS = 10V30V 92ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C92IDContinuous Drain Current2TC = 100 C58AIDM180Pulsed Drain Curre

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History: NCE30H15BK | NCE65N900R | FQB13N50CTM | FDD6N20TF | P06P03LVG | SIA813DJ | NDH8304P

 

 
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