PD510BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PD510BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 92 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 354 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для PD510BA
PD510BA Datasheet (PDF)
pd510ba.pdf

PD510BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID4.3m @VGS = 10V30V 92ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C92IDContinuous Drain Current2TC = 100 C58AIDM180Pulsed Drain Curre
Другие MOSFET... PD632BA , PD636BA , PD648BA , PD696BA , PD6A8BA , PD485BA , PD504BA , PD506BA , 10N65 , PD516BA , PD517BA , PD533BA , PD537BA , PD548BA , PD570BA , PD612BA , PD628BA .
History: IRFD9024PBF | FDD6696 | AUIRFN8401 | HSSK6303
History: IRFD9024PBF | FDD6696 | AUIRFN8401 | HSSK6303



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503