PD517BA Todos los transistores

 

PD517BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PD517BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 376 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

PD517BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:478K  unikc
 pd517ba.pdf pdf_icon

PD517BA

PD517BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID12m @VGS = -10V-55A-30VTO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C-55IDContinuous Drain Current2TC= 100 C-35AIDM-150Pulsed Drain

 ..2. Size:223K  niko-sem
 pd517ba.pdf pdf_icon

PD517BA

P-Channel Enhancement Mode PD517BA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 12m -55A 1. GATE G2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 2

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SJ362 | PMN50UPE | 2N7089

 

 
Back to Top

 


 
.