PD517BA - аналоги и даташиты транзистора

 

PD517BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PD517BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 376 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для PD517BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD517BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:478K  unikc
 pd517ba.pdf pdf_icon

PD517BA

PD517BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID12m @VGS = -10V-55A-30VTO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C-55IDContinuous Drain Current2TC= 100 C-35AIDM-150Pulsed Drain

 ..2. Size:223K  niko-sem
 pd517ba.pdf pdf_icon

PD517BA

P-Channel Enhancement Mode PD517BA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 12m -55A 1. GATE G2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 2

Другие MOSFET... PD648BA , PD696BA , PD6A8BA , PD485BA , PD504BA , PD506BA , PD510BA , PD516BA , RFP50N06 , PD533BA , PD537BA , PD548BA , PD570BA , PD612BA , PD628BA , P0806AT , P0806ATF .

History: FD120N10ZR | P2610BD

 

 
Back to Top

 


 
.