PD517BA - описание и поиск аналогов

 

PD517BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PD517BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 376 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для PD517BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD517BA даташит

 ..1. Size:478K  unikc
 pd517ba.pdf pdf_icon

PD517BA

PD517BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 12m @VGS = -10V -55A -30V TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC= 25 C -55 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C -35 A IDM -150 Pulsed Drain

 ..2. Size:223K  niko-sem
 pd517ba.pdf pdf_icon

PD517BA

P-Channel Enhancement Mode PD517BA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 12m -55A 1. GATE G 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 2

Другие MOSFET... PD648BA , PD696BA , PD6A8BA , PD485BA , PD504BA , PD506BA , PD510BA , PD516BA , IRF1407 , PD533BA , PD537BA , PD548BA , PD570BA , PD612BA , PD628BA , P0806AT , P0806ATF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.